|
|
|
|
|
|
|
|
主要成分 |
主要作用 |
環境資料/法規信息 |
|
|
1 |
表面活性劑 |
消除表面無機物、殘留生成物 提高硅片表面的浸潤能力 |
對環境無害/ 一般工業品,非危化品 |
|
|
2 |
絨面催化劑 |
提高金字塔的密度 快速降低溶液表面/硅片的界面能 |
對環境無害/ 一般工業品,非危化品 |
|
|
3 |
溶液穩定劑 |
增強溶液的快速均勻分布 控制反應速率 |
對環境無害/ 一般工業品,非危化品 |
|
|
4 |
反應吸附劑 |
優化微結構形貌 調控金字塔縱深比 |
對環境無害/ 一般工業品,非危化品 |
|
|
|
|
|
|
|
環境友好型添加劑,不增加廢水處理COD及BOD值。
推薦工藝—帶初拋工藝
|
|
|
|
|
|
|
|
序號 |
步驟 |
化學品 |
條件 |
減重 |
|
|
1 |
初拋 |
KOH |
1.5-3.0 at.% |
0.2-0.30g |
|
|
DW |
@65-80oC, 100-200s |
|
|
2 |
清洗 |
KOH |
0.50-1.0 at.% |
|
|
|
H2O2 |
4.0-8.0 vol.% |
|
|
DW |
@55-65oC, 150-250s |
|
|
3 |
制絨 |
KOH |
0.7-1.5 at.% |
0.4-0.5g(總) |
|
|
添加劑 |
1.5-2.0% vol.% |
|
|
DW |
@80oC, 420s |
|
|
|
|
|
|
|
|
推薦工藝—不初拋工藝
|
|
|
|
|
|
|
|
序號 |
步驟 |
化學品 |
條件 |
減重 |
|
|
1 |
清洗 |
KOH |
0.50-1.0 at.% |
|
|
|
H2O2 |
4.0-8.0 vol.% |
|
|
DW |
@55-65oC, 150-250s |
|
|
2 |
制絨 |
KOH |
0.7-1.5 at.% |
0.4-0.5g(總) |
|
|
添加劑 |
1.5-2.0% vol.% |
|
|
DW |
@80oC, 600s |
|
|
|
|
|
|
|
|
初拋工藝
不初拋工藝


采用致電光電D8反射率測試儀測試R約為9.5~10.5%,帶初拋工藝反射率略低約1%(abs)
電池參數
客戶A常規單晶,不初拋600S和帶初拋420S制絨demo實驗
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
序號 |
Voc(mV) |
Isc(A) |
FF(%) |
Rs(mΩ) |
Rsh(Ω) |
EFF(%) |
Irev(A) |
|
|
對比組(帶初拋) |
655.6 |
9.418 |
81.38 |
1.28 |
244 |
20.55 |
0.069 |
|
|
晟道(帶初拋) |
655.9 |
9.423 |
81.32 |
1.35 |
205 |
20.57 |
0.071 |
|
|
晟道(不初拋) |
656.1 |
9.418 |
81.39 |
1.22 |
247 |
20.58 |
0.058 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
客戶B 單晶PERC,帶初拋420S制絨demo實驗,精確對比
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
序號 |
Voc(mV) |
Isc(A) |
FF(%) |
Rs(mΩ) |
Rsh(Ω) |
EFF(%) |
Irev(A) |
|
|
對比組 |
669.3 |
9.842 |
80.99 |
2.12 |
845 |
21.84 |
0.1 |
|
|
晟道 |
669.9 |
9.841 |
80.94 |
2.56 |
819 |
21.85 |
0.08 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
客戶B單晶PERC+LDSE,帶初拋420S制絨demo實驗,精確對比
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
序號 |
Voc(mV) |
Isc(A) |
FF(%) |
Rs(mΩ) |
Rsh(Ω) |
EFF(%) |
Irev(A) |
|
|
對比組 |
679.2 |
10.073 |
80.25 |
2.29 |
1027.9 |
22.47 |
0.06 |
|
|
晟道 |
680.1 |
10.067 |
80.35 |
2.5 |
1053.2 |
22.52 |
0.05 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
產品優勢
增產:制絨縮短至6-7min
降本:化學成本更低,使用壽命200runs
提效:0.05%-0.10%
兼容:新設備和老設備及工藝;更換添加劑不需特殊清洗